IT之家 7 月 20 日音书，来自好意思国麻省理工学院、加拿大渥太华大学等机构的科学家sex5 chat，诈欺一种名为三元碲铋矿（ternary tetradymite）的晶体材料研制出一种新式超薄晶体薄膜半导体。

据先容，这种“薄膜”厚度仅 100 纳米，其中电子的迁徙速率约为传统半导体的 7 倍从而创下新记载。这一遵循有助科学家研发出新式高效电子建树。揣摸论文也曾发表于《当天材料物理学》杂志（IT之家附 DOI:10.1016/j.mtphys.2024.101486）。

据先容，这种“薄膜”主如果通过“分子束外延时代”空洞抑制分子束并“一一原子”构建而来的材料。这种工艺不错制造脱险些莫得残障的材料，从而罢了更高的电子迁徙率（即电子在电场作用下穿过材料的难易进度）。

节略来说，当科学家向“薄膜”施加电流时，他们记录到了电子以 10000 cm²/V-s 的速率发生转移。比拟之下，电子在“硅半导体”中的转移速率约为 1400 cm²/V-s，而在传统铜线中则要更慢。

这种超高的电子迁徙率意味着更好的导电性。这反过来又为更高效、更刚劲的电子建树铺平了说念路，这些建树产生的热量更少，谋害的能量更少。

霸术东说念主员将这种“薄膜”的特质譬如成“不会堵车的高速公路”，他们暗示这种材料“关于更高效、更省电的电子建树至关紧迫，不错用更少的电力完成更多的责任”。

科学家们暗示，潜在的应用包括将“废热”交流成电能的可衣着式热电建树，以及诈欺电子自旋而不是电荷来惩办信息的“自旋电子”建树。

科学家们通过将“薄膜”置于极寒磁场环境中来测量材料中的电子迁徙率，然后通过对薄膜通电测量“量子飘荡”。诚然，这种材料即使只须细微的残障也会影响电子迁徙率，因此科学家们但愿通过校正薄膜的制备工艺来得回更好的收尾。

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麻省理工学院物理学家 Jagadeesh Moodera暗示：“这标明，只须大略合适抑制这些复杂系统，咱们就不错罢了浩大率先。咱们正朝着正确的方上前进，咱们将进一步霸术、约束校正这种材料sex5 chat，但愿使其变得更薄，并用于改日的自旋电子学和可衣着式热电建树。”